AP10G04S Todos los transistores

 

AP10G04S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP10G04S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8(7.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2(15.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76(134) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026(0.045) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP10G04S Datasheet (PDF)

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AP10G04S

AP10G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

 7.1. Size:2666K  cn apm
 ap10g04df.pdf pdf_icon

AP10G04S

AP10G04DF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

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History: AP80P01NF | AP10H03S | TF202THC | JMSH0401PGQ | AP10G04DF | AP65N06D | AP80N08D

 

 
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