AP10G04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP10G04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP10G04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8(7.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2(15.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76(134) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026(0.045) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP10G04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10G04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2001K  cn apm
 ap10g04s.pdf pdf_icon

AP10G04S

AP10G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

 7.1. Size:2666K  cn apm
 ap10g04df.pdf pdf_icon

AP10G04S

AP10G04DF 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10G04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =9.8A DS DR

Другие MOSFET... AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF , IRF730 , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF .

History: AP10G04DF | AP10H03S | AP3400MI | IRF143

 

 
Back to Top

 


 
.