AP15H06S Todos los transistores

 

AP15H06S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP15H06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP15H06S

 

Principales características: AP15H06S

 ..1. Size:1765K  cn apm
 ap15h06s.pdf pdf_icon

AP15H06S

AP15H06S 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15H06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =15A DS D R

Otros transistores... AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , IRF730 , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S .

History: DHS025N88F

 

 
Back to Top

 


 
.