AP15H06S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP15H06S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP15H06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15H06S даташит

 ..1. Size:1765K  cn apm
 ap15h06s.pdf pdf_icon

AP15H06S

AP15H06S 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15H06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =15A DS D R

Другие IGBT... AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI, AP4606B, AP4G02LI, AP8P06S, AP90N08NF, AP10G04S, IRF730, AP4957A, AP65N06D, AP65N06DF, AP6G03S, AP6P04S, AP8G06S, APG120N04NF, APG60N10S