AP15H06S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP15H06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP15H06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для AP15H06S

 

AP15H06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1765K  cn apm
 ap15h06s.pdf pdf_icon

AP15H06S

AP15H06S 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP15H06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =15A DS D R

Другие MOSFET... AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , IRF730 , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S .

History: PSMN3R2-40YLD | PTP4N60

 

 
Back to Top

 


 
.