AP65N06D Todos los transistores

 

AP65N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP65N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP65N06D Datasheet (PDF)

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AP65N06D

AP65N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP65N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =65A DS DR

 0.1. Size:1817K  cn apm
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AP65N06D

AP65N06DF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP65N06DF uses advanced APM-SGTtechnology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =65A DS DR

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History: AP80N08D | AP80N06D | TF202THC | JMSH0401PGQ | AP8P06S | AP10N04S | AP15P04S

 

 
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