AP65N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP65N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP65N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP65N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1844K  cn apm
 ap65n06d.pdf pdf_icon

AP65N06D

AP65N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP65N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =65A DS DR

 0.1. Size:1817K  cn apm
 ap65n06df.pdf pdf_icon

AP65N06D

AP65N06DF 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP65N06DF uses advanced APM-SGTtechnology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =65A DS DR

Другие MOSFET... AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , IRF3205 , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F .

History: IRF143 | AP3400MI

 

 
Back to Top

 


 
.