AP6G03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6G03S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10(7.6) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.8(20.2) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81(148) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.042) Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de AP6G03S MOSFET
AP6G03S Datasheet (PDF)
ap6g03s.pdf
AP6G03S 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =10 A DS DR
ap6g04s.pdf
AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR
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Liste
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