AP6G03S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP6G03S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(7.6) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.8(20.2) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81(148) pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.042) Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP6G03S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6G03S даташит
ap6g03s.pdf
AP6G03S 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =10 A DS D R
ap6g03li.pdf
AP6G03LI 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6.8A DS D R
ap6g04s.pdf
AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS D R
Другие IGBT... AP4G02LI, AP8P06S, AP90N08NF, AP10G04S, AP15H06S, AP4957A, AP65N06D, AP65N06DF, IRF840, AP6P04S, AP8G06S, APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, APJ30N65T
History: HGB098N10AL | F110N04 | AP85N03NF | AP03N70I-H-HF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913



