AP6G03S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6G03S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6G03S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10(7.6) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.8(20.2) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81(148) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.042) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP6G03S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6G03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2445K  cn apm
 ap6g03s.pdf pdf_icon

AP6G03S

AP6G03S 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =10 A DS DR

 9.1. Size:3407K  cn apm
 ap6g04s.pdf pdf_icon

AP6G03S

AP6G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =6A DS DR

Другие MOSFET... AP4G02LI , AP8P06S , AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , 20N60 , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T .

History: RU30105R | HSH6040

 

 
Back to Top

 


 
.