AP8G06S Todos los transistores

 

AP8G06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8G06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5(7.7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34(20.1) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65(76) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052(0.1) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP8G06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2181K  cn apm
 ap8g06s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G06S 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS DR

 9.1. Size:2168K  cn apm
 ap8g04s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS DR

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