AP8G06S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP8G06S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5(7.7) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34(20.1) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65(76) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052(0.1) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP8G06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8G06S даташит

 ..1. Size:2181K  cn apm
 ap8g06s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G06S 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R

 9.1. Size:2168K  cn apm
 ap8g04s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS D R

Другие IGBT... AP90N08NF, AP10G04S, AP15H06S, AP4957A, AP65N06D, AP65N06DF, AP6G03S, AP6P04S, IRF540N, APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, APJ30N65T, APJ50N65F, APJ50N65P