AP8G06S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8G06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8G06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5(7.7) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34(20.1) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65(76) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052(0.1) Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP8G06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8G06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2181K  cn apm
 ap8g06s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G06S 60V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS DR

 9.1. Size:2168K  cn apm
 ap8g04s.pdf pdf_icon

AP8G06S

AP8G04S 40V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8G04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =8.3A DS DR

Другие MOSFET... AP90N08NF , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , IRF540N , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P .

History: JMSH1509AG

 

 
Back to Top

 


 
.