APJ50N65T Todos los transistores

 

APJ50N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APJ50N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de APJ50N65T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APJ50N65T datasheet

 ..1. Size:1809K  cn apm
 apj50n65f apj50n65p apj50n65t ap65r190.pdf pdf_icon

APJ50N65T

APJ50N65FIPIT (AP65R190) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ50N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 740V

Otros transistores... APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P , IRF640N , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T , AP01P10I , AP100N03AD .

 

 
Back to Top

 


 
.