APJ50N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APJ50N65T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO263

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APJ50N65T datasheet

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APJ50N65T

APJ50N65FIPIT (AP65R190) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ50N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 740V

Otros transistores... APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, APJ30N65T, APJ50N65F, APJ50N65P, IRFP260N, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F, APJ14N65P, APJ14N65T, AP01P10I, AP100N03AD