APJ50N65T - аналоги и даташиты транзистора

 

APJ50N65T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APJ50N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для APJ50N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ50N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1809K  cn apm
 apj50n65f apj50n65p apj50n65t ap65r190.pdf pdf_icon

APJ50N65T

APJ50N65FIPIT (AP65R190) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ50N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type740V

Другие MOSFET... APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P , IRFP260N , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T , AP01P10I , AP100N03AD .

History: AP100P03D

 

 
Back to Top

 


 
.