APN9N50D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APN9N50D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.84 Ohm

Encapsulados: TO252

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APN9N50D datasheet

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APN9N50D

APN9N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gener

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