APN9N50D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APN9N50D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.84 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APN9N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APN9N50D даташит

 ..1. Size:989K  cn apm
 apn9n50d.pdf pdf_icon

APN9N50D

APN9N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gener

Другие IGBT... AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, APJ30N65T, APJ50N65F, APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, IRF640N, APJ14N65D, APJ14N65F, APJ14N65P, APJ14N65T, AP01P10I, AP100N03AD, AP100N03D, AP100N03P