AP01P10I Todos los transistores

 

AP01P10I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP01P10I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de AP01P10I MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP01P10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1294K  cn apm
 ap01p10i.pdf pdf_icon

AP01P10I

AP01P10I -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP01P10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

 9.1. Size:704K  ncepower
 nceap01p35ak.pdf pdf_icon

AP01P10I

http://www.ncepower.comNCEAP01P35AKNCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEAP01P35AK uses Super Trench technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high frequencyswitching performance. Both conduction and switching powerlosses are minimized due to an extremely low combination ofR and Q . This device is ideal for high-frequency sw

Otros transistores... APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T , AON6414A , AP100N03AD , AP100N03D , AP100N03P , AP100N03T , AP100N03Y , AP100N04D , AP100N04NF , AP100N08D .

History: APG80N10T | ZXMP3F37N8

 

 
Back to Top

 


 
.