AP01P10I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP01P10I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP01P10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01P10I даташит

 ..1. Size:1294K  cn apm
 ap01p10i.pdf pdf_icon

AP01P10I

AP01P10I -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP01P10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS D R

 9.1. Size:704K  ncepower
 nceap01p35ak.pdf pdf_icon

AP01P10I

http //www.ncepower.com NCEAP01P35AK NCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEAP01P35AK uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for high-frequency sw

Другие IGBT... APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F, APJ14N65P, APJ14N65T, IRFB4115, AP100N03AD, AP100N03D, AP100N03P, AP100N03T, AP100N03Y, AP100N04D, AP100N04NF, AP100N08D