AP01P10I - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP01P10I. Основные параметры


   Наименование производителя: AP01P10I
   Маркировка: 0107'
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP01P10I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01P10I даташит

 ..1. Size:1294K  cn apm
 ap01p10i.pdf pdf_icon

AP01P10I

AP01P10I -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP01P10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS D R

 9.1. Size:704K  ncepower
 nceap01p35ak.pdf pdf_icon

AP01P10I

http //www.ncepower.com NCEAP01P35AK NCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEAP01P35AK uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for high-frequency sw

Другие MOSFET... APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T , IRFB4115 , AP100N03AD , AP100N03D , AP100N03P , AP100N03T , AP100N03Y , AP100N04D , AP100N04NF , AP100N08D .

History: APJ14N65D

 

 
Back to Top

 


 
.