DMN3200U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3200U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT23

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DMN3200U datasheet

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DMN3200U

DMN3200U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 90 m @ VGS = 4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 110 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-

 ..2. Size:128K  tysemi
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DMN3200U

 9.1. Size:341K  diodes
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DMN3200U

DMN32D4SDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 10V 0.65A Fast Switching Speed 30V ESD Protected Gate 0.7 @ VGS = 4.5V 0.52A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 9.2. Size:274K  diodes
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DMN3200U

DMN32D2LDF COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Common Source Dual N-Channel MOSFET Case SOT-353 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold

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