Справочник MOSFET. DMN3200U

 

DMN3200U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3200U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3200U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  diodes
dmn3200u.pdfpdf_icon

DMN3200U

DMN3200UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 90 m @ VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 110 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-

 ..2. Size:128K  tysemi
dmn3200u.pdfpdf_icon

DMN3200U

Product specificationDMN3200UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 90 m @ VGS = 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 110 m @ VGS = 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D 200 m @ VGS = 1.5V

 9.1. Size:341K  diodes
dmn32d4sdw.pdfpdf_icon

DMN3200U

DMN32D4SDW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance 0.4 @ VGS = 10V 0.65A Fast Switching Speed 30V ESD Protected Gate 0.7 @ VGS = 4.5V 0.52A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 9.2. Size:274K  diodes
dmn32d2ldf.pdfpdf_icon

DMN3200U

DMN32D2LDFCOMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Common Source Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-353 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold

Другие MOSFET... DMN3051LDM , DMN3052L , DMN3052LSS , DMN3112S , DMN3112SSS , DMN3115UDM , DMN3150L , DMN3150LW , IRFZ46N , DMN32D2LDF , DMN32D2LFB4 , DMN32D2LV , DMN3300U , DMN3404L , DMN3730U , DMN3730UFB , DMN3730UFB4 .

History: HM10N10K | AO6804A | SVF7N60CD | IRF741 | WMJ38N60C2 | HM4410 | MCH6351

 

 
Back to Top

 


 
.