AP190N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP190N15T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 412 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de AP190N15T MOSFET
AP190N15T Datasheet (PDF)
ap190n15p ap190n15t.pdf
AP190N15PIT 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP190N15P/T uses advanced APM-SGTtechnology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 150V I =190A DS DR
Otros transistores... AP160N10T , AP180N03P , AP180N03T , AP180N08P , AP180N08T , AP18N20D , AP18N20Y , AP190N15P , IRF730 , AP200N12P , AP200N12T , AP20N65F , AP20N65P , AP30N06P , AP30N06T , AP40N20P , AP40N20T .
History: IPW65R190C6
History: IPW65R190C6
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM25N15C | AGM2319EL | AGM2309EL | AGM218MAP | AGM216MNE | AGM216ME | AGM215TS | AGM215MNE | AGM210S | AGM210MAP | AGM210AP | AGM20T09LL | AGM20T09C | AGM20P30AP1 | AGM20P30AP | AGM312D
Popular searches
2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600