AP190N15T - аналоги и даташиты транзистора

 

AP190N15T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP190N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 412 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AP190N15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP190N15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1755K  cn apm
 ap190n15p ap190n15t.pdf pdf_icon

AP190N15T

AP190N15PIT 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP190N15P/T uses advanced APM-SGTtechnology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 150V I =190A DS DR

Другие MOSFET... AP160N10T , AP180N03P , AP180N03T , AP180N08P , AP180N08T , AP18N20D , AP18N20Y , AP190N15P , IRF730 , AP200N12P , AP200N12T , AP20N65F , AP20N65P , AP30N06P , AP30N06T , AP40N20P , AP40N20T .

History: AP18N20D

 

 
Back to Top

 


 
.