AP190N15T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP190N15T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 412 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP190N15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP190N15T даташит

 ..1. Size:1755K  cn apm
 ap190n15p ap190n15t.pdf pdf_icon

AP190N15T

AP190N15PIT 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP190N15P/T uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 150V I =190A DS D R

Другие IGBT... AP160N10T, AP180N03P, AP180N03T, AP180N08P, AP180N08T, AP18N20D, AP18N20Y, AP190N15P, 2SK2842, AP200N12P, AP200N12T, AP20N65F, AP20N65P, AP30N06P, AP30N06T, AP40N20P, AP40N20T