AP5G03S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5G03S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(7.2) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2(10.8) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02(0.048) Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP5G03S datasheet

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AP5G03S

AP5G03SIDF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5G03S/DF uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON) The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications General Features N-Channel V = 30V,I =8A DS D R

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