AP5G03S Todos los transistores

 

AP5G03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5G03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(7.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2(10.8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02(0.048) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de AP5G03S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP5G03S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1090K  cn apm
 ap5g03s ap5g03df.pdf pdf_icon

AP5G03S

AP5G03SIDF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5G03S/DF uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON)The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications General Features N-Channel V = 30V,I =8A DS DR

Otros transistores... AP4N65F , AP4N65P , AP50N06BD , AP50N06BY , AP50N06P , AP50N06T , AP50P06P , AP50P06T , P55NF06 , AP5G03DF , AP5N50F , AP5N50P , AP5N50T , AP60N03F , AP60N03T , AP60N03P , AP70P03P .

History: AP5G03DF

 

 
Back to Top

 


 
.