AP5G03S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5G03S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(7.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2(10.8) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02(0.048) Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5G03S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5G03S даташит

 ..1. Size:1090K  cn apm
 ap5g03s ap5g03df.pdf pdf_icon

AP5G03S

AP5G03SIDF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5G03S/DF uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON) The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications General Features N-Channel V = 30V,I =8A DS D R

Другие IGBT... AP4N65F, AP4N65P, AP50N06BD, AP50N06BY, AP50N06P, AP50N06T, AP50P06P, AP50P06T, 10N60, AP5G03DF, AP5N50F, AP5N50P, AP5N50T, AP60N03F, AP60N03T, AP60N03P, AP70P03P