AP85N08BT Todos los transistores

 

AP85N08BT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP85N08BT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 354 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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AP85N08BT datasheet

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AP85N08BT

AP85N08BPIT 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N08BP/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 80V I =85A DS D R

 8.1. Size:650K  allpower
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AP85N08BT

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AP85N08BT

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AP85N08BT

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