Аналоги AP85N08BT. Основные параметры
Наименование производителя: AP85N08BT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для AP85N08BT
AP85N08BT даташит
ap85n08bp ap85n08bt.pdf
AP85N08BPIT 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N08BP/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 80V I =85A DS D R
Другие MOSFET... AP80N07T , AP80N10P , AP80N10T , AP80P06P , AP80P06T , AP80P10P , AP80P10T , AP85N08BP , 13N50 , AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , AP9N90T , AP110N04D , AP120N02D , AP120N03D .
History: 24N50
History: 24N50
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C | AOI780A70 | AOB42S60L | AOTF950A70L | AOTF27S60L | AOTF11S60L | AONV070V65G1 | AOM065V120X2Q | AOM033V120X2 | AOK500V120X2
Popular searches
2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560