AP85N08BT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP85N08BT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP85N08BT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP85N08BT даташит

 ..1. Size:1817K  cn apm
 ap85n08bp ap85n08bt.pdf pdf_icon

AP85N08BT

AP85N08BPIT 80V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP85N08BP/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 80V I =85A DS D R

 8.1. Size:650K  allpower
 ap85n04k.pdf pdf_icon

AP85N08BT

 8.2. Size:575K  allpower
 ap85n04q.pdf pdf_icon

AP85N08BT

 8.3. Size:2065K  allpower
 ap85n04g.pdf pdf_icon

AP85N08BT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP80N07T, AP80N10P, AP80N10T, AP80P06P, AP80P06T, AP80P10P, AP80P10T, AP85N08BP, SPP20N60C3, AP90N06P, AP90N06T, AP9N90F, AP9N90P, AP9N90T, AP110N04D, AP120N02D, AP120N03D