AP9N90T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9N90T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP9N90T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP9N90T datasheet

 ..1. Size:1187K  cn apm
 ap9n90f ap9n90p ap9n90t.pdf pdf_icon

AP9N90T

AP9N90FIPIT 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N90F/T/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.

Otros transistores... AP80P10P, AP80P10T, AP85N08BP, AP85N08BT, AP90N06P, AP90N06T, AP9N90F, AP9N90P, AON7506, AP110N04D, AP120N02D, AP120N03D, AP120N03NF, AP120N04D, AP120N08NF, AP120N10NF, AP120P03D