AP9N90T Todos los transistores

 

AP9N90T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9N90T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de AP9N90T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP9N90T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  cn apm
 ap9n90f ap9n90p ap9n90t.pdf pdf_icon

AP9N90T

AP9N90FIPIT 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N90F/T/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.

Otros transistores... AP80P10P , AP80P10T , AP85N08BP , AP85N08BT , AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , IRF1407 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.