AP9N90T - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9N90T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9N90T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AP9N90T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9N90T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  cn apm
 ap9n90f ap9n90p ap9n90t.pdf pdf_icon

AP9N90T

AP9N90FIPIT 900V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N90F/T/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.

Другие MOSFET... AP80P10P , AP80P10T , AP85N08BP , AP85N08BT , AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , IRF1407 , , , , , , , , .

History: AP7N65P

 

 
Back to Top

 


 
.