AP110N04D Todos los transistores

 

AP110N04D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP110N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 411 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP110N04D datasheet

 ..1. Size:1311K  cn apm
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AP110N04D

AP110N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP110N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =110A DS D R

Otros transistores... AP80P10T , AP85N08BP , AP85N08BT , AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , AP9N90T , AON6380 , AP120N02D , AP120N03D , AP120N03NF , AP120N04D , AP120N08NF , AP120N10NF , AP120P03D , AP12N06S .

 

 

 


 
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