AP110N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP110N04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 411 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP110N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP110N04D даташит

 ..1. Size:1311K  cn apm
 ap110n04d.pdf pdf_icon

AP110N04D

AP110N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP110N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =110A DS D R

Другие IGBT... AP80P10T, AP85N08BP, AP85N08BT, AP90N06P, AP90N06T, AP9N90F, AP9N90P, AP9N90T, RFP50N06, AP120N02D, AP120N03D, AP120N03NF, AP120N04D, AP120N08NF, AP120N10NF, AP120P03D, AP12N06S