AP110N04D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP110N04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP110N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 411 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP110N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP110N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1311K  cn apm
 ap110n04d.pdf pdf_icon

AP110N04D

AP110N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP110N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =110A DS DR

Другие MOSFET... AP80P10T , AP85N08BP , AP85N08BT , AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , AP9N90T , AON7506 , AP120N02D , AP120N03D , AP120N03NF , AP120N04D , AP120N08NF , AP120N10NF , AP120P03D , AP12N06S .

History: AP120N08NF

 

 
Back to Top

 


 
.