AP320N04TLG5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP320N04TLG5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 320 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1930 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TOLLA-8L

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AP320N04TLG5 datasheet

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AP320N04TLG5

AP320N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP320N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =320A DS D R

 9.1. Size:1657K  allpower
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AP320N04TLG5

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