AP320N04TLG5 - аналоги и даташиты транзистора

 

AP320N04TLG5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP320N04TLG5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TOLLA-8L
 

 Аналог (замена) для AP320N04TLG5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP320N04TLG5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1331K  cn apm
 ap320n04tlg5.pdf pdf_icon

AP320N04TLG5

AP320N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP320N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =320A DS DR

Другие MOSFET... AP12N10Y , AP12P04S , AP13P06D , AP13P06Y , AP13P20D , AP30P03DF , AP30P06D , AP30P10P , 2N60 , AP3400AI , AP3400BI , AP3400CI , AP3400DI , AP3400MI-L , AP3401AI , AP3401MI , AP3404BI .

History: DH0159I | 2SK3567

 

 
Back to Top

 


 
.