AP320N04TLG5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP320N04TLG5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TOLLA-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP320N04TLG5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP320N04TLG5 даташит

 ..1. Size:1331K  cn apm
 ap320n04tlg5.pdf pdf_icon

AP320N04TLG5

AP320N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP320N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =320A DS D R

 9.1. Size:1657K  allpower
 ap3205.pdf pdf_icon

AP320N04TLG5

Другие IGBT... AP12N10Y, AP12P04S, AP13P06D, AP13P06Y, AP13P20D, AP30P03DF, AP30P06D, AP30P10P, STF13NM60N, AP3400AI, AP3400BI, AP3400CI, AP3400DI, AP3400MI-L, AP3401AI, AP3401MI, AP3404BI