AP90P01D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP90P01D 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 769 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO252

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Búsqueda de reemplazo de AP90P01D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AP90P01D datasheet

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AP90P01D 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P01D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =12V I =90A DS D R

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