AP90P01D datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP90P01D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP90P01D 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP90P01D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AP90P01D даташит

..1. Size:1731K cn apm
ap90p01d.pdf pdf_icon

AP90P01D 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P01D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =12V I =90A DS D R

8.1. Size:647K 1
ap90p03g.pdf pdf_icon