AP90P01D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP90P01D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP90P01D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP90P01D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP90P01D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1731K  cn apm
 ap90p01d.pdf pdf_icon

AP90P01D

AP90P01D 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P01D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =12V I =90A DS DR

 8.1. Size:647K  1
 ap90p03g.pdf pdf_icon

AP90P01D

 8.2. Size:595K  1
 ap90p03q.pdf pdf_icon

AP90P01D

 8.3. Size:1053K  cn apm
 ap90p03nf.pdf pdf_icon

AP90P01D

AP90P03NF -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-90A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3400MI-L , AP3401AI , AP3401MI , AP3404BI , AP3407AI , AP3407MI , AP3409MI , AP90N06F , IRFZ46N , AP90P03NF , AP9435A , AP9926A , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D .

 

 
Back to Top

 


 
.