APG110N10NF Todos los transistores

 

APG110N10NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APG110N10NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 645 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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APG110N10NF datasheet

 ..1. Size:1402K  cn apm
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APG110N10NF

APG110N10NF 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APG110N10NF uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =110A DS D R

Otros transistores... AP9435A , AP9926A , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , AON7403 , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , APG130N06NF , AP7P15D , AP7P15Y , AP80N02DF , AP80N02NF .

History: APG120N12NF

 

 

 


 
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