APG110N10NF - аналоги и даташиты транзистора

 

APG110N10NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG110N10NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для APG110N10NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG110N10NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1402K  cn apm
 apg110n10nf.pdf pdf_icon

APG110N10NF

APG110N10NF 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APG110N10NF uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =110A DS DR

Другие MOSFET... AP9435A , AP9926A , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , HY1906P , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , APG130N06NF , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.