AP7P15D Todos los transistores

 

AP7P15D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP7P15D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP7P15D datasheet

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AP7P15D

AP7P15D -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

 8.1. Size:1368K  cn apm
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AP7P15D

AP7P15Y -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

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