AP7P15D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP7P15D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.78 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP7P15D datasheet

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AP7P15D

AP7P15D -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

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AP7P15D

AP7P15Y -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

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