AP7P15D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP7P15D. Основные параметры


   Наименование производителя: AP7P15D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP7P15D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7P15D даташит

 ..1. Size:1317K  cn apm
 ap7p15d.pdf pdf_icon

AP7P15D

AP7P15D -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

 8.1. Size:1368K  cn apm
 ap7p15y.pdf pdf_icon

AP7P15D

AP7P15Y -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

Другие MOSFET... AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , APG130N06NF , AOD4184A , AP7P15Y , AP80N02DF , AP80N02NF , AP80N03D , AP80N03DF , AP80N03NF , AP80N04D , AP80N04DF .

History: AP80N03NF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.