ZXMN3A01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZXMN3A01F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ZXMN3A01F datasheet

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ZXMN3A01F

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ZXMN3A01F

Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

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ZXMN3A01F

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ZXMN3A01F

Otros transistores... DMN4800LSS, DMN4800LSSL, DMS3016SFG, DMS3016SSSA, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, IRFZ46N, ZXMN3A02N8, ZXMN3A02X8, ZXMN3A03E6, ZXMN3A04DN8, ZXMN3A04K, ZXMN3A06DN8, ZXMN3A14F, ZXMN3AMC