ZXMN3A01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ZXMN3A01F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.625 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: SOT23
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ZXMN3A01F datasheet
zxmn3a01f.pdf
Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23
Otros transistores... DMN4800LSS, DMN4800LSSL, DMS3016SFG, DMS3016SSSA, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, IRFZ46N, ZXMN3A02N8, ZXMN3A02X8, ZXMN3A03E6, ZXMN3A04DN8, ZXMN3A04K, ZXMN3A06DN8, ZXMN3A14F, ZXMN3AMC
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Liste
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