ZXMN3A01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMN3A01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.625 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ZXMN3A01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN3A01F даташит

 ..1. Size:193K  diodes
 zxmn3a01f.pdf pdf_icon

ZXMN3A01F

 ..2. Size:104K  tysemi
 zxmn3a01f.pdf pdf_icon

ZXMN3A01F

Product specification ZXMN3A01F 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 30V; RDS(ON) = 0.12 ID = 2.0A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from TY utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES SOT23

 0.1. Size:191K  zetex
 zxmn3a01ftc.pdf pdf_icon

ZXMN3A01F

 0.2. Size:191K  zetex
 zxmn3a01fta.pdf pdf_icon

ZXMN3A01F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN4800LSS, DMN4800LSSL, DMS3016SFG, DMS3016SSSA, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, IRFZ46N, ZXMN3A02N8, ZXMN3A02X8, ZXMN3A03E6, ZXMN3A04DN8, ZXMN3A04K, ZXMN3A06DN8, ZXMN3A14F, ZXMN3AMC