AP8814A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP8814A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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AP8814A datasheet

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AP8814A

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1 D2 The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) G1 G2 operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2 device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS D R

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AP8814A

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