AP8814A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP8814A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de AP8814A MOSFET
AP8814A Datasheet (PDF)
ap8814a.pdf
AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1D2The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)G1 G2operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS DR
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History: SWD078R08E8T | AP90T10GP-HF | AP2535GEY | STP26N60M2
History: SWD078R08E8T | AP90T10GP-HF | AP2535GEY | STP26N60M2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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