AP8814A - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8814A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8814A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для AP8814A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8814A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  cn apm
 ap8814a.pdf pdf_icon

AP8814A

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1D2The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)G1 G2operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS DR

 9.1. Size:1677K  allpower
 ap8810.pdf pdf_icon

AP8814A

Другие MOSFET... AP50N06NF , AP50N10D , AP50N10P , AP50N20MP , AP80P10D , AP8205A-21 , AP8205S , AP85N04NF , BS170 , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , AP8N06SI , AP8N10MI , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S .

History: 2SK4047-01S | STD4NK80Z-1 | AP2N050G | ELM34810AA | SWD10N65K2 | AP90T10GP-HF | AP93T03AGH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.