AP8814A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8814A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для AP8814A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8814A даташит

 ..1. Size:1197K  cn apm
 ap8814a.pdf pdf_icon

AP8814A

AP8814A 20V N+N hannel Enhancement Mode MOSFET Description D1 D2 The AP8814A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) G1 G2 operation with gate voltages as low as 2.5V. This S1 S2 device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I = 8A DS D R

 9.1. Size:1677K  allpower
 ap8810.pdf pdf_icon

AP8814A

Другие IGBT... AP50N06NF, AP50N10D, AP50N10P, AP50N20MP, AP80P10D, AP8205A-21, AP8205S, AP85N04NF, BS170, AP8H04DF, AP8H04S, AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S, AP8V06S