AP8N06SI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP8N06SI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT89

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AP8N06SI datasheet

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AP8N06SI

AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R

 9.1. Size:222K  ape
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AP8N06SI

AP8N010LM Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID3 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP8N010L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo

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