AP8N06SI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8N06SI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8N06SI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP8N06SI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N06SI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1595K  cn apm
 ap8n06si.pdf pdf_icon

AP8N06SI

AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS DR

 9.1. Size:222K  ape
 ap8n010lm.pdf pdf_icon

AP8N06SI

AP8N010LMHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10mD Fast Switching Characteristic ID3 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP8N010L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technolo

Другие MOSFET... AP80P10D , AP8205A-21 , AP8205S , AP85N04NF , AP8814A , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , 2SK3568 , AP8N10MI , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , AP15P06DF , AP15P10D .

 

 
Back to Top

 


 
.