AP8N06SI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8N06SI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для AP8N06SI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N06SI даташит

 ..1. Size:1595K  cn apm
 ap8n06si.pdf pdf_icon

AP8N06SI

AP8N06SI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N06SI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =8.5A DS D R

 9.1. Size:222K  ape
 ap8n010lm.pdf pdf_icon

AP8N06SI

AP8N010LM Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 80V D D Simple Drive Requirement D RDS(ON) 10m D Fast Switching Characteristic ID3 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP8N010L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo

Другие IGBT... AP80P10D, AP8205A-21, AP8205S, AP85N04NF, AP8814A, AP8H04DF, AP8H04S, AP8H06S, 2SK3568, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S, AP8V06S, AP90N02D, AP90N02NF, AP15P06DF, AP15P10D