AP8N10MI Todos los transistores

 

AP8N10MI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8N10MI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP8N10MI Datasheet (PDF)

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AP8N10MI

AP8N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =8A DS D R

Otros transistores... AP8205A-21 , AP8205S , AP85N04NF , AP8814A , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , AP8N06SI , 75N75 , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , , , .

History: AP8P04S

 

 
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