AP8N10MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8N10MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8N10MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP8N10MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8N10MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1317K  cn apm
 ap8n10mi.pdf pdf_icon

AP8N10MI

AP8N10MI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8N10MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =8A DS D R

Другие MOSFET... AP8205A-21 , AP8205S , AP85N04NF , AP8814A , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , AP8N06SI , 75N75 , AP8P04MI , AP8P04S , AP8V06S , AP90N02D , AP90N02NF , , , .

History: AP8P04S

 

 
Back to Top

 


 
.