AP1N10I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP1N10I

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AP1N10I MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP1N10I datasheet

 ..1. Size:1583K  cn apm
 ap1n10i.pdf pdf_icon

AP1N10I

AP1N10I 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP1N10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =1.5A DS D R

Otros transistores... AP15P10D, AP16P01BF, AP16P02S, AP180N03D, AP180N04NF, AP180N10MP, AP18N03D, AP18P20P, AO3400A, AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI