AP1N10I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP1N10I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP1N10I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1N10I даташит

 ..1. Size:1583K  cn apm
 ap1n10i.pdf pdf_icon

AP1N10I

AP1N10I 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP1N10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =1.5A DS D R

Другие IGBT... AP15P10D, AP16P01BF, AP16P02S, AP180N03D, AP180N04NF, AP180N10MP, AP18N03D, AP18P20P, AO3400A, AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI