AP1N10I - аналоги и даташиты транзистора

 

AP1N10I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP1N10I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP1N10I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP1N10I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1583K  cn apm
 ap1n10i.pdf pdf_icon

AP1N10I

AP1N10I 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP1N10I uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =1.5A DS DR

Другие MOSFET... AP15P10D , AP16P01BF , AP16P02S , AP180N03D , AP180N04NF , AP180N10MP , AP18N03D , AP18P20P , P60NF06 , AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , , .

 

 
Back to Top

 


 
.