AP280N10MP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP280N10MP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 461 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO247

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AP280N10MP datasheet

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AP280N10MP

AP280N10MP 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP280N10MP uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =280A DS D R

Otros transistores... AP18P20P, AP1N10I, AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, IRF830, AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF