AP280N10MP Todos los transistores

 

AP280N10MP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP280N10MP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 461 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 280 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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AP280N10MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  cn apm
 ap280n10mp.pdf pdf_icon

AP280N10MP

AP280N10MP 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP280N10MP uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =280A DS DR

Otros transistores... AP18P20P , AP1N10I , AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , IRF830 , AP2N20MI , AP2N30MI , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF .

History: AP9926GEO | CM20N60P | 2SJ417 | TMD830 | AP200N15MP | WTM2305 | AP200N10MP

 

 
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