AP280N10MP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP280N10MP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 461 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для AP280N10MP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP280N10MP даташит

 ..1. Size:1006K  cn apm
 ap280n10mp.pdf pdf_icon

AP280N10MP

AP280N10MP 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP280N10MP uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =280A DS D R

Другие IGBT... AP18P20P, AP1N10I, AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, IRF830, AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF