AP280N10MP - аналоги и даташиты транзистора

 

AP280N10MP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP280N10MP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 461 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AP280N10MP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP280N10MP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  cn apm
 ap280n10mp.pdf pdf_icon

AP280N10MP

AP280N10MP 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP280N10MP uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =280A DS DR

Другие MOSFET... AP18P20P , AP1N10I , AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , IRF830 , AP2N20MI , AP2N30MI , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF .

 

 
Back to Top

 


 
.