AP2N30MI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2N30MI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AP2N30MI datasheet

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AP2N30MI

AP2N30MI 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N30MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

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AP2N30MI

AP2N3R7LYT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 23.4A G D S D D Description D AP2N3R7L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

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