AP2N30MI Todos los transistores

 

AP2N30MI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2N30MI
   Código: MC3-2A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP2N30MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1129K  cn apm
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AP2N30MI

AP2N30MI 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N30MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

 9.1. Size:63K  ape
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AP2N30MI

AP2N3R7LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 23.4AGDSDDDescriptionDAP2N3R7L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possi

Otros transistores... AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , AP280N10MP , AP2N20MI , IRF9640 , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF , AP30N02D , AP30N03DF .

 

 
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