AP2N30MI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N30MI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2N30MI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N30MI даташит

 ..1. Size:1129K  cn apm
 ap2n30mi.pdf pdf_icon

AP2N30MI

AP2N30MI 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N30MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

 9.1. Size:63K  ape
 ap2n3r7lyt.pdf pdf_icon

AP2N30MI

AP2N3R7LYT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 23.4A G D S D D Description D AP2N3R7L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possi

Другие IGBT... AP200N04NF, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, IRF9640, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AP30N02D, AP30N03DF