AP2N30MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP2N30MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP2N30MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2N30MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N30MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1129K  cn apm
 ap2n30mi.pdf pdf_icon

AP2N30MI

AP2N30MI 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2N30MI is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gen

 9.1. Size:63K  ape
 ap2n3r7lyt.pdf pdf_icon

AP2N30MI

AP2N3R7LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 23.4AGDSDDDescriptionDAP2N3R7L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possi

Другие MOSFET... AP200N04NF , AP200N04TLG5 , AP200N10MP , AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , AP280N10MP , AP2N20MI , IRF9640 , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF , AP30N02D , AP30N03DF .

History: DMTH10H010SCT | AP2311MI | DMT6009LCT

 

 
Back to Top

 


 
.